SJ 50033.81-1995 半导体分立器件.CS0524型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
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ID： |
87B9F22A81704390890F1794B9243E09 |
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0.6 |
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17 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/81-1995,半导体分立器件,CS0524型珅化钱微波功率场,效应晶体管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type CS0524 GaAs microwave power FET,1995-05-25 发布1995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标海,半导体分立器件,CS0524型珅化镇微波功率场 SJ 50033/81-1995,效应晶体管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type CS0524 GaAs microwave power FET,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 CS0524型神化镜徴波功率场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制,生产和果购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33 L3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级,分别用字母,GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4586—84场效应晶体管测试方法,GJB 33—85 半导体分立器件总规范,GJB 128—86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3,2,1 引出端材料和涂层,引出端材料为可伐合金,引线表面镀金,3.2.2 器件结构,中华人民共お国电子工业部!995-05-25发布 !995-12-0I实施,—1 —,SJ 50033/81-1995,采用酢化像N型沟道肖特基势垒栅结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸见图L,\n-t,符Z 最小值标称值最大值,A 一— 2.5,九仇5 — 0.8,% 0」一0.8,C 0.09 一0.15,F 0.5 一0.7,K 2.35 — 2.65,L 2.0 — 一,椚L5 — L7,Q 一— 0,9,7 6.0 一6.2,5 3% 一3.1,5 8.3 — 8.7,Ui 2.35 2.65,引出端极性:Sー底座G-2 D-1,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,注:D当Tc>25t1时,按16.7mW/七㈱性降额,P2,Tc - 25V,(W),た,(V) (V) (V),1ロ,(mA),心,(t),T由,(V),工5 12 -12 -12 ,熒8 J75 -65 - 175,-2 -,下载,SJ 50033/81-1995,3.3.2 主要电特性（Ta = 25匕）,ャぐ数,、数、4,V\,现号、,Ids号,(mA),^GStoH),(V),gnd,(mS),P,(mW),Gp,(dB),人,(GHz) (%) (V/W),Vds = 3V,vcs-ov,Vds = 3V,ID 士 10 mA,33V,%LルTV,Vds = 7-8V Jn=180~250niA,P; =16OmW(CS0524A,D),P; = 130mW(CS0524B),P, = 100mW(CS0524C),CS0524A >5,2i6,CS0524B,240-700 >90 ^500,>6 12,60,CW524c >7 >17,CS0524D >5 18 川,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 4586及本规范的要求,3.5 标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定。制造厂可省略器件上的下列标志:,a.器件型号;,b.产品保证等级;,c,制造厂厂名,代号或商标;,d.检验批识别代码,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验应符合GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检脸应符合GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT、GCT级）,筛选应按GJB 33的裏2和本规范的规定进行,下面测试应按本规范表1进行,超过本规范表1极限值的器件应予剔除,筛 选,（见GJB 33的表2）,測 试 或 试 験,3热冲击-65-150^,1 6高温反偏Ta = 150t,t =48h,Vgss = -6^V,7中间电参数1惨1，gm” （曲,8功率老化见4.3」,3,SJ 50033/81-1995,续表,筛 选,（见GJB 33的表2）,渕 试 或 试 验,9最后测试按本规范表1的A2分组i,△金1式初始值的士15%;,△匕题团丒初始價的± 15%武O.5V（取较大者,初始值的100 %或。.1mA,取较大者,4,3.1 功率老化条件,功率老化条件如下:,Tc = 7Q ±5C；P3=1,乃W；V0s = 8V0,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定进行,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检験应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检验和试验方法,检验和试睑方法应按本规范相应的表和下列规定,4.5.I 脉冲测试,以冲测试应按GJB 128的332」条的规定,表1 A组检验,检验或试验,方法,GB 4586,条 件LTPD 符号,极限值,单位,最小,最大,A1分组,外观及机械检验:GJB 128,2071,5,A2分组,棚一源截止电压,梱一源短路下的漏,……
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